Pamięć zmiennofazowa, PCM (od ang. phase-change memory), PRAMJest to także skrótowiec od parameter RAM (parametryczna pamięć o dostępie swobodnym)., PCRAM (od ang. phase-change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym (tzw. owoniku).
Wykorzystano w niej zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (jest ona inna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW.
Zalety: możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż jednego bitu informacji stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – około 300 ns stosunkowo duża trwałość – 1012 cykli długi czas przechowywania informacji stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu bezpośrednia zamienność z pamięciami flash
Wady: na obecnym etapie wysoki koszt produkcji wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM
Autorem koncepcji i prototypów pamięci zmiennofazowej jest firma Ovonyx, stąd nazywana ona była ovonic unified memory (OUM). Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.
Uwagi
Kategoria:Pamięci komputerowe