Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu.
Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej.
Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz. Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) wynosi 1,424 eV.
Zastosowanie Arsenek galu stosuje się m.in. w produkcji: szybko reagujących cyfrowych i analogowych układów scalonych diod laserów baterii słonecznych fotodetektorów czujników pola magnetycznego sond biomedycznych
Przypisy
Kategoria:Materiały półprzewodnikowe Kategoria:Związki arsenu Kategoria:Związki galu